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HAT2175H-EL-E數據表

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Renesas Electronics America
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HAT2175H-EL-E

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1445pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

15W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LFPAK

包裝/箱

SC-100, SOT-669