Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

HAT2171H-EL-E數據表

HAT2171H-EL-E數據表
總頁數: 10
大小: 102.74 KB
Renesas Electronics America
此數據表涵蓋了1零件號: HAT2171H-EL-E
HAT2171H-EL-E數據表 頁面 1
HAT2171H-EL-E數據表 頁面 2
HAT2171H-EL-E數據表 頁面 3
HAT2171H-EL-E數據表 頁面 4
HAT2171H-EL-E數據表 頁面 5
HAT2171H-EL-E數據表 頁面 6
HAT2171H-EL-E數據表 頁面 7
HAT2171H-EL-E數據表 頁面 8
HAT2171H-EL-E數據表 頁面 9
HAT2171H-EL-E數據表 頁面 10
HAT2171H-EL-E

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LFPAK

包裝/箱

SC-100, SOT-669