Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

GP1M023A050N數據表

GP1M023A050N數據表
總頁數: 5
大小: 595.59 KB
Global Power Technologies Group
此數據表涵蓋了1零件號: GP1M023A050N
GP1M023A050N數據表 頁面 1
GP1M023A050N數據表 頁面 2
GP1M023A050N數據表 頁面 3
GP1M023A050N數據表 頁面 4
GP1M023A050N數據表 頁面 5
GP1M023A050N

Global Power Technologies Group

制造商

Global Power Technologies Group

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3391pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

347W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-3PN

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3