GP1M003A050FG數據表
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Global Power Technologies Group
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GP1M003A050FG, GP1M003A050HG
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制造商 Global Power Technologies Group 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 9nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 395pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 17.3W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220F 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
制造商 Global Power Technologies Group 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 9nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 395pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 52.1W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220 包裝/箱 TO-220-3 |
