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GB35XF120K數據表

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Vishay Semiconductor Diodes Division
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GB35XF120K

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

284W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.475nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

ECONO2

供應商設備包裝

-