Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

GA20SICP12-247數據表

GA20SICP12-247數據表
總頁數: 12
大小: 2,920.58 KB
GeneSiC Semiconductor
此數據表涵蓋了1零件號: GA20SICP12-247
GA20SICP12-247數據表 頁面 1
GA20SICP12-247數據表 頁面 2
GA20SICP12-247數據表 頁面 3
GA20SICP12-247數據表 頁面 4
GA20SICP12-247數據表 頁面 5
GA20SICP12-247數據表 頁面 6
GA20SICP12-247數據表 頁面 7
GA20SICP12-247數據表 頁面 8
GA20SICP12-247數據表 頁面 9
GA20SICP12-247數據表 頁面 10
GA20SICP12-247數據表 頁面 11
GA20SICP12-247數據表 頁面 12
GA20SICP12-247

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

FET類型

-

技術

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 20A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3091pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

282W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247AB

包裝/箱

TO-247-3