FPF2C110BI07AS2數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 650V 當前-集電極（Ic）（最大值） 40A 功率-最大 300W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.3V @ 15V, 40A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce - 輸入 Standard NTC熱敏電阻 Yes 工作溫度 -40°C ~ 150°C 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 30-DIP Module 供應商設備包裝 F2 |
