FJP5200RTU數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 17A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 3V @ 800mA, 8A 當前-集電極截止（最大值） 5µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 55 @ 1A, 5V 功率-最大 80W 頻率-過渡 30MHz 工作溫度 -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 17A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 3V @ 800mA, 8A 當前-集電極截止（最大值） 5µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 80 @ 1A, 5V 功率-最大 80W 頻率-過渡 30MHz 工作溫度 -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
