FJBE2150DTU數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 ESBC™ 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 2A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 800V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 330mA, 1A 當前-集電極截止(最大值) 100µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 20 @ 400mA, 3V 功率-最大 110W 頻率-過渡 5MHz 工作溫度 -55°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263) |