Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

FDP86363-F085數據表

FDP86363-F085數據表
總頁數: 6
大小: 437.71 KB
ON Semiconductor
此數據表涵蓋了1零件號: FDP86363-F085
FDP86363-F085數據表 頁面 1
FDP86363-F085數據表 頁面 2
FDP86363-F085數據表 頁面 3
FDP86363-F085數據表 頁面 4
FDP86363-F085數據表 頁面 5
FDP86363-F085數據表 頁面 6
FDP86363-F085

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10000pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3