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FCP190N65S3數據表

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ON Semiconductor
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FCP190N65S3

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

SuperFET® III

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

144W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3