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EDBM432B3PF-1D-F-R TR數據表

EDBM432B3PF-1D-F-R TR數據表
總頁數: 169
大小: 2,031.41 KB
Micron Technology Inc.
此數據表涵蓋了10零件號: EDBM432B3PF-1D-F-R TR, EDBM432B3PD-1D-F-R TR, EDBM432B3PB-1D-F-R TR, EDBM432B3PF-1D-F-D, EDBM432B3PD-1D-F-D, EDBM432B3PB-1D-F-D, EDB8132B4PM-1D-F-R TR, EDB8132B4PM-1D-F-D, EDB4432BBPA-1D-F-R TR, EDB4432BBPA-1D-F-D
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···
EDBM432B3PF-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

EDBM432B3PF-1D-F-R TR

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

12Gb (384M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-FBGA (12x12)
EDBM432B3PD-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

EDBM432B3PD-1D-F-R TR

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

12Gb (384M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-
EDBM432B3PB-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

EDBM432B3PB-1D-F-R TR

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

12Gb (384M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-FBGA (12x12)
EDBM432B3PF-1D-F-D

Micron Technology Inc.

EDBM432B3PF-1D-F-D

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

12Gb (384M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-FBGA (12x12)
EDBM432B3PD-1D-F-D

Micron Technology Inc.

EDBM432B3PD-1D-F-D

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

12Gb (384M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-
EDBM432B3PB-1D-F-D

Micron Technology Inc.

EDBM432B3PB-1D-F-D

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

12Gb (384M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-FBGA (12x12)
EDB8132B4PM-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

EDB8132B4PM-1D-F-R TR

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-WFBGA

供應商設備包裝

168-FBGA (12x12)
EDB8132B4PM-1D-F-D

Micron Technology Inc.

EDB8132B4PM-1D-F-D

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-WFBGA

供應商設備包裝

168-FBGA (12x12)
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

4Gb (128M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-WFBGA

供應商設備包裝

168-FBGA (12x12)
EDB4432BBPA-1D-F-D

Micron Technology Inc.

EDB4432BBPA-1D-F-D

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

4Gb (128M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-WFBGA

供應商設備包裝

168-FBGA (12x12)