EDB8164B4PT-1DAT-F-R數據表
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制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 16Gb (256M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 - 供應商設備包裝 - |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 16Gb (256M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-VFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 16Gb (256M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-VFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 16Gb (256M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 - 供應商設備包裝 - |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 220-WFBGA 供應商設備包裝 220-FBGA (14x14) |
