ECH8690-TL-H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate, 4V Drive 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.7A, 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 55mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 18nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 955pF @ 20V 功率-最大 1.5W 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 8-ECH |
