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DMP26M7UFG-13數據表

DMP26M7UFG-13數據表
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Diodes Incorporated
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DMP26M7UFG-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

156nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5940pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerDI3333-8

包裝/箱

8-PowerVDFN

DMP26M7UFG-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

156nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5940pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerDI3333-8

包裝/箱

8-PowerVDFN