DMNH10H028SK3Q-13數據表
|
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 28mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 36nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2245pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 2W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-252 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
