DMN63D8LV-7數據表
|
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 260mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.87nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 22pF @ 25V 功率-最大 450mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝 SOT-563 |
