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DMN33D8LT-7數據表

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Diodes Incorporated
此數據表涵蓋了2零件號: DMN33D8LT-7, DMN33D8LT-13
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DMN33D8LT-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

48pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

240mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-523

包裝/箱

SOT-523

DMN33D8LT-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

48pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

240mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-523

包裝/箱

SOT-523