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DMN1019UVT-13數據表

DMN1019UVT-13數據表
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Diodes Incorporated
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DMN1019UVT-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50.4nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2588pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.73W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TSOT-26

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

DMN1019UVT-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50.4nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2588pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.73W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TSOT-26

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6