CTLDM8120-M621H TR數據表
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制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 950mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 3.56nC @ 4.5V Vgs（最大） 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 200pF @ 16V FET功能 - 功耗（最大值） 1.6W (Ta) 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TLM621H 包裝/箱 6-XFDFN Exposed Pad |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 950mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 3.56nC @ 4.5V Vgs（最大） 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 200pF @ 16V FET功能 - 功耗（最大值） 1.6W (Ta) 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TLM621H 包裝/箱 6-XFDFN Exposed Pad |
