BSS84LT1數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 130mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 30pF @ 5V FET功能 - 功耗（最大值） 225mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 130mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.2nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 36pF @ 5V FET功能 - 功耗（最大值） 225mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 130mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.2nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 36pF @ 5V FET功能 - 功耗（最大值） 225mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 130mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 30pF @ 5V FET功能 - 功耗（最大值） 225mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
