BSD816SNL6327HTSA1數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID 950mV @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.6nC @ 2.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 180pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 500mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-SOT363-6 包裝/箱 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
