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BSC027N10NS5ATMA1數據表

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 146µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

111nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 214W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TSON-8-3

包裝/箱

8-PowerTDFN