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BFR31LT1G數據表

BFR31LT1G數據表
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ON Semiconductor
此數據表涵蓋了4零件號: BFR31LT1G, BFR31LT1, BFR30LT1G, BFR30LT1
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BFR31LT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

BFR31LT1

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

BFR30LT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

BFR30LT1

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)