BCR129SE6327HTSA1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 10kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） - 頻率-過渡 150MHz 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 PG-SOT363-6 |
制造商 Infineon Technologies 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 10kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） - 頻率-過渡 150MHz 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 PG-SOT363-6 |
制造商 Infineon Technologies 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 10 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 頻率-過渡 150MHz 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-70, SOT-323 供應商設備包裝 PG-SOT323-3 |
制造商 Infineon Technologies 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 10 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 頻率-過渡 150MHz 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-723 供應商設備包裝 PG-TSFP-3 |
制造商 Infineon Technologies 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 10 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 頻率-過渡 150MHz 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-70, SOT-323 供應商設備包裝 PG-SOT323-3 |
制造商 Infineon Technologies 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 10 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 頻率-過渡 150MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23-3 |
