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BCR 164T E6327數據表

BCR 164T E6327數據表
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Infineon Technologies
此數據表涵蓋了3零件號: BCR 164T E6327, BCR 164L3 E6327, BCR 164F E6327
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BCR 164T E6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

160MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

PG-SC-75

BCR 164L3 E6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

160MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-101, SOT-883

供應商設備包裝

PG-TSLP-3-4

BCR 164F E6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

160MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

供應商設備包裝

PG-TSFP-3