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Microsemi
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APT130SM70B

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

SiCFET (Silicon Carbide)

漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 60A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3950pF @ 700V

FET功能

-

功耗(最大值)

556W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247-3

包裝/箱

TO-247-3