APT11GP60BDQBG數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 POWER MOS 7® IGBT類型 PT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 41A 電流-集電極脈沖（Icm） 45A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 11A 功率-最大 187W 開關能量 46µJ (on), 90µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 40nC 25°C時的Td（開/關） 7ns/29ns 測試條件 400V, 11A, 5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247-3 |
