2SJ687-ZK-E1-AY數據表
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 7mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 57nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4400pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 1W (Ta), 36W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-252 (MP-3ZK) 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
