2SJ610(TE16L1數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了1零件號:
2SJ610(TE16L1,NQ)
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.55Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 24nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 381pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 20W (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PW-MOLD 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
