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Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC5549,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 25mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 40mA, 5V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

供應商設備包裝

TO-92MOD