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STGF30M65DF2

STGF30M65DF2

僅供參考

型號 STGF30M65DF2
PNEDA編號 STGF30M65DF2
描述 IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGF30M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGF30M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGF30M65DF2, STGF30M65DF2數據表 (總頁數: 16, 大小: 708.81 KB)
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STGF30M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 30A
功率-最大38W
開關能量300µJ (on), 960µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用80nC
25°C時的Td(開/關)31.6ns/115ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)140ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FP

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600V

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14A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 7A

功率-最大

80W

開關能量

300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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480V, 5A, 100Ohm, 15V

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 20A

功率-最大

179W

開關能量

620µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

-/160ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 12A

功率-最大

63W

開關能量

100µJ (on), 160µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

32ns/85ns

測試條件

300V, 12A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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