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IRG4BC30U-STRRP

IRG4BC30U-STRRP

僅供參考

型號 IRG4BC30U-STRRP
PNEDA編號 IRG4BC30U-STRRP
描述 IGBT 600V 23A 100W D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4BC30U-STRRP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4BC30U-STRRP
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG4BC30U-STRRP, IRG4BC30U-STRRP數據表 (總頁數: 9, 大小: 286.02 KB)
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IRG4BC30U-STRRP規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)23A
電流-集電極脈沖(Icm)92A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 12A
功率-最大100W
開關能量160µJ (on), 200µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用50nC
25°C時的Td(開/關)17ns/78ns
測試條件480V, 12A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 40A

功率-最大

260.4W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

53ns/105ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

238W

開關能量

858µJ (on), 229µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

76nC

25°C時的Td(開/關)

17.6ns/75.2ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

131ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

188W

開關能量

280µJ (on), 70µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/170ns

測試條件

400V, 15A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 10A

功率-最大

30W

開關能量

83µJ (on), 140µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

57nC

25°C時的Td(開/關)

19.5ns/103ns

測試條件

400V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

107ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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120nC

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