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IMX25T110

IMX25T110

僅供參考

型號 IMX25T110
PNEDA編號 IMX25T110
描述 TRANS 2NPN 20V 0.3A 6SMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,416
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 27 - 五月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMX25T110資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMX25T110
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
IMX25T110, IMX25T110數據表 (總頁數: 4, 大小: 992.53 KB)
PDFIMX25T110數據表 封面
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IMX25T110規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 3mA, 30mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce820 @ 4ma, 2V
功率-最大300mW
頻率-過渡35MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

90mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 2V

功率-最大

510mW

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 10V

功率-最大

2.75W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

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