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AS4C256M8D2-25BINTR

AS4C256M8D2-25BINTR

僅供參考

型號 AS4C256M8D2-25BINTR
PNEDA編號 AS4C256M8D2-25BINTR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C256M8D2-25BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C256M8D2-25BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C256M8D2-25BINTR, AS4C256M8D2-25BINTR數據表 (總頁數: 70, 大小: 2,756.29 KB)
PDFAS4C256M8D2-25BIN數據表 封面
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AS4C256M8D2-25BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間57.5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x10)

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1.5Tb (192G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

267MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-SOJ

6116LA120TDB

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

120ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

24-CDIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

24-CDIP

IDT71V3556S166BGI

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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